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製程簡介

請選擇製程名稱：
簡介	CIC 0.18um 1.8V/3.3V 1P6M Virtual Mixed Mode/RFCMOS Process. This virtual process provides academic users only. It includes the HSPICE model, the Virtuoso technology file, the Laker technology file, and the Calibre rule files. It is a virtual process and it can't be fabricated throuth CIC and any foundry.

無標題文件

各類製程晶片提供服務列表一

代號	製程分類	製程技術	提供廠商	Full-Custom	Cell-Based	MEMS	BioMEMS
D35	CMOS	0.35 um	TSMC	V	V	V	V
T25HV	CMOS	0.25 um	TSMC	V	V	-	-
T18	CMOS	0.18 um	TSMC	V	V	V	-
SiGe18	BiCMOS	0.18 um	TSMC	V	-	-	-
TN90RF	CMOS	0.09 um	TSMC	V	-	-	-
TN90MSG	CMOS	0.09 um	TSMC	V	V	-	-
P15	GaAs	0.15 um	WIN	V	-	-	-
GIPD	IPD	10 um	tMt	V	-	-	-
TN40G	CMOS	40 nm	TSMC	V	V	-	-


註1：	表一中的"-"表示不提供該製程Cell-based/MEMS/BioMEMS之服務。

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各類製程晶片提供服務列表二

代號	製程分類	製程技術	提供廠商	免審面積限制	書審面積上限	教育性晶片面積限制
D35	CMOS	0.35 um	TSMC	2.5 x 2.5	8	1.5 x 1.5
MEMS35	Post Process	0.35 um	TSMC	2.5 x 2.5	8	1.5 x 1.5
BioMEMS35	Post Process	0.35 um	TSMC	2.5 x 2.5	8	1.5 x 1.5
T25HV	CMOS	0.25 um	TSMC	1.9 x 0.9	註4	0.9 x 1.15
T18	CMOS	0.18 um	TSMC	1.5 x 1.5	5	1.2 x 1.2
MEMS18	Post Process	0.18 um	TSMC	1.5 x 1.5	5	1.2 x 1.2
SiGe18	BiCMOS	0.18 um	TSMC	1.5 x 1.5	5	1.2 x 1.2
TN90RF	CMOS	0.09 um	TSMC	1 x 1	1	-
TN90MSG	CMOS	0.09 um	TSMC	1 x 1	1	-
P15	GaAs	0.15 um	WIN	1.0 x 1.0	2.25	-
GIPD	IPD	10 um	tMt	-	註5	-
TN40G	CMOS	40 nm	TSMC	-	-	-


註1：	上表中的"-"表示該製程不適用相關審查方式或無教育性晶片。

註2：	請留意TN90RF、TN90MSG製程晶片每個block之單一邊長上限為3.85mm，超出上限者將使用超過一個block。

註3：	面積限制部份，長度單位為mm，面積單位為mm*mm。

註4：	T25HV製程晶片佈局『必須』在長或是寬至少有一個邊是900um或是1900um，或長與寬皆小於900um之小面積晶片，或長與寬皆大於1900um之大面積晶片。

註5：	GIPD製程面積限制為4700um2200um 或 4700um4700um 或 9700um4700um 或 9700um9700um，其餘面積概不受理。